hdmi|type-c|sma|北斗GPS天线|mcx|ipex|连接器|射频转接线-金航标电子

随着汽车智能化的快速发展，各大车企也开始重视芯片研发，为自动驾驶技术的发展带来机遇。当今市场上的大多数电动汽车已经具备一定程度的自动驾驶能力。不过，虽然大部分汽车还处于自动驾驶的L1-L2级别，但仍属于驾驶辅助阶段，很难做到真正的L3-L4级别的高级驾驶。自动驾驶服务已经进入商业化试点阶段，离L3-L4级自动驾驶大规模商业化的终点越来越近。高通入局，自动驾驶芯片有望加速变革在过去，由于自动驾驶软件及算法开发难度及测试难度较大，同时相关政策法规不完善，因此自动驾驶的整体的市场成熟度不高。而在整车智能化转型时代，智能座舱能集成更多的信息和功能，给用户带来更直观、更个性化的体验，因此成为整车智能化的先行者。自2020年开始，各国相继出台了自动驾驶相关的政策或者高级别自动驾驶运营许可： 1、美国：2020 年 2 月，美国国家公路交通安全管理局（NHTSA）批准自动驾驶汽车初创企业NURO 生产投放无人电动送货车。 2、日本：2021 年 3 月，日本政府批准本田 L3 级别自动驾驶 Legend 在日本本土上市。 3、德国：2021 年 12 月，德国奔驰 L3 级自动驾驶汽车 EV EQS 获得了德国联邦汽车运输管理局的许可，可以在部分路段替代人类驾驶员控制车辆状态。 4、中国：2021 年 9 月，市场监管总局（标准委）正式出台了《汽车驾驶自动化分级》国家推荐标准（GB/T 40429-2021）。根据该国标，从 3 级自动驾驶开始，目标和事件探测和响应的对象从驾驶员变为了系统，动态驾驶任务后援也从驾驶员变为了动态驾驶任务后援用户。这意味着，在有条件自动驾驶情况下，已允许驾驶员脱手，只需要在必要时接管驾驶。该国标已于今年 3 月 1 日正式实施，将对促进自动驾驶产业的发展以及后续相关法规的制定起到积极作用。今年 4 月，小马智行获得中国第一张面向自动驾驶公司的出租车运营许可。6 月 14 日，工信部副部长辛国斌表示，工信部将出台自动驾驶、信息安全等标准，适时开展准入试点。各大厂商积极布局，未来自动驾驶行业空间巨大。目前，L3 及以上级别的自动驾驶有望在封闭、半封闭和低速场景下率先应用，自主泊车作为自动驾驶的低速复杂场景，将为自动驾驶技术演进提供低速域的数据训练和积累。尽管自动驾驶高速场景的商业化落地还有一定距离，但特斯拉、谷歌、英伟达、高通等厂商依旧把目光放在了高级别的自动驾驶上，为的就是在行业拐点来临之前占得先机。根据 IHS 的预测，自动驾驶汽车将在 2025 年前后开始一轮爆发式增长。到 2035 年，道路行驶车辆将有一半实现自动驾驶，届时自动驾驶整车及相关设备、应用的收入规模总计将超过五千亿美元。根据 CIC 预测，预计到 2025 年我国自动驾驶市场空间接近 4000 亿元，2020-2025 年 CAGR 接近 107%，远快于全球市场增速。在汽车 E/E 架构由分布式架构向集中式架构方向发展的过程中，自动驾驶芯片作为计算的载体逐渐成为智能汽车时代的核心。在"软件定义汽车"趋势下，芯片、操作系统、算法、数据共同组成了智能驾驶汽车的计算生态闭环，其中芯片是智能驾驶汽车生态发展的核心。以特斯拉为代表的汽车电子电气架构改革先锋率先采用集中式架构，即用一个电脑控制整车，域控制器逐渐集成前期的传感器、数据融合、路径规划、决策等运算处理器功能。随着自动驾驶级别的提升以及功能应用的丰富，汽车对芯片算力的需求也越来越大。算力需求升级驱动车载芯片市场规模增长。2020 年，汽车领域芯片需求量已占全球芯片市场11.4%，持续上涨的算力需求将驱动车载计算芯片市场规模增长，车载计算芯片市场将迎来高速发展期。根据亿欧智库，2021 年中国车载计算芯片市场规模将达 15.1 亿美元，2025 年市场规模将迅速增长至 89.8 亿美元。对于车企而言，算力和功耗是其选择车载芯片/计算平台的两大主要因素： 1、算力：对于高级别的智能驾驶系统而言，传感器数量的增加及分辨率的提升带来海量数据处理需求，算法模型的复杂程度亦大幅提升。随着汽车 E/E 架构逐步集中化，智能汽车的计算能力将主要由少数的几个域控制器或是计算平台来实现，这也对单颗车载芯片算力提出了更高的要求。根据亿欧智库，自动驾驶等级每增加一级，所需要的芯片算力就会呈现十倍以上的上升，其中 L4 级别需要的 AI 算力接近 400TOPS，L5 需要的算力达到了 4000+TOPS。 "硬件预埋，软件升级"成为车企主流策略，智能化头部车企在新一代车型中预置大算力芯片。汽车产品具备较长的生命周期，一般为 5-10 年，车载计算平台的算力上限决定车辆生命周期内可承载的软件服务升级上限。相较而言软件迭代更快，因此智能驾驶软件迭代周期与硬件更换周期存在错位。为保证车辆在全生命周期内的持续软件升级能力，主机厂在智能驾驶上采取"硬件预置，软件升级"的策略，通过预置大算力芯片，为后续软件与算法升级优化提供足够发展空间。以蔚来、智己、威马、小鹏为代表的主机厂在新一代车型中均将智能驾驶算力提升至 500-1000Tops 级别。 2、功耗：为支持并兼容 L3 及以上智能驾驶系统数量与类型繁多的传感器与执行器需求，车载计算平台多采用异构芯片硬件方案，以满足系统接口与算力需求。相较传统 ECU，车载计算平台的复杂度呈数倍提升，面临功耗、散热、电磁、质量等多重挑战，存在着物理上限。因此，尽管当前行业普遍以"TOPS" 为单位来评估自动驾驶芯片的理论峰值算力，各大芯片厂商也不断刷新算力峰值，但在实际场景下的算力有效利用率却不高，自动驾驶芯片理论峰值算力并不一定能在实际运行中完全释放，主要是受到了功耗、环境等因素的限制。芯片的绝对算力高低固然重要，但对于主机厂开发量产车型而言，芯片选择需兼顾算力、功耗、成本、易用性、同构性等多重因素。因此，如何在有限算力下帮助客户算法软件最高效地运行是衡量芯片厂商竞争力的核心标准。从发展趋势来看，自动驾驶 SoC 芯片将向"CPU+XPU"的异构式架构发展，长期来看CPU+ASIC 方案将是未来主流。SoC 是系统级别的芯片，相比 MCU 在架构上增加了音频处理DSP、图像处理 GPU、神经网络处理器 NPU 等计算单元，常用于 ADAS、座舱 IVI、域控制等功能较复杂的领域。随着智能汽车的发展，汽车芯片结构形式也由 MCU 进化至 SoC。目前市面上主流的自动驾驶芯片 SoC 架构方案分为三种：（1）CPU+GPU+ASIC，（2）CPU+ASIC，（3）CPU+FPGA。长期来看，定制批量生产的低功耗、低成本的专用自动驾驶 AI 芯片（ASIC）将逐渐取代高功耗的 GPU，CPU+ASIC 方案将是未来主流架构。消费电子芯片巨头入局，积极挖掘智能汽车市场机遇。随着渗透率趋于饱和，智能手机市场进入瓶颈期，过去智能手机芯片市场带来的高增速与高利润难以持续，因此消费电子芯片巨头亟需寻找新的市场机会点以拓展利润空间。自2014年，高通、英伟达两大消费电子芯片巨头率先布局智能汽车计算芯片，以夺得市场先机。芯片是一个依赖高研发投入，通过大规模生产以实现规模效应，摊平成本的产业，因此在市场初期掌握更多竞争优势的厂商在实现量产上车后将通过规模效应获得成本优势。由于消费电子芯片巨头具备充足的资金优势，可通过并购优秀的初创公司，持续提升 AI 计算芯片优势，快速补全汽车领域芯片能力与资源，以抢占市场获得规模优势。从车载计算芯片的竞争格局来看，英伟达、Mobileye、高通等厂商具备较为明显的优势。传统汽车芯片市场长期由 TI、恩智浦、瑞萨等传统芯片厂商所占据，而汽车智能化发展带来的车载计算芯片蓝海市场吸引多方入场，形成消费电子芯片巨头、新兴芯片科技公司、传统汽车芯片厂商、主机厂自研/合资芯片厂商四大阵营，汽车芯片市场格局正逐渐被重塑：（1）在自动驾驶计算芯片领域：英伟达以及背靠英特尔的 Mobileye 处于第一梯队，高通、华为海思、地平线处于第二梯队，展现出了强劲的上升趋势。（2）在智能座舱芯片领域：高通在产品力与高端市场占有率上具备绝对领先优势，英特尔、瑞萨、三星等厂商紧随其后，中低端车型市场上则以恩智浦、TI 为主。（3）在中国市场：以华为海思、地平线、芯驰科技等为代表的国产化新兴芯片科技公司也展现出了较强竞争力。英伟达、Mobileye、高通在自动驾驶 SoC 领域各有优势： 1、英伟达：L3 级别及以上的自动驾驶对算力提出了更高的要求，英伟达则是大算力芯片的王者，自 2015 年进入自动驾驶领域以来一直引领着车载芯片的算力变革。 2015 年，英伟达推出基于 Tegra X1 SoC 的 DRIVE PX，正式进军自动驾驶领域；2016 年，推出 DRIVE PX2 自动驾驶平台，上车特斯拉 ModelS 与 ModelX；2018 年，发布自动驾驶 SoC 芯片 DRIVE Xavier，单芯片算力达 30TOPS，2021 年已上车小鹏 P7、P5、智己 L7 等多款车型；2019 年，发布自动驾驶系统级芯片 DRIVE Orin，单芯片算力达 254TOPS，今年已实现量产上车，蔚来、小鹏、威马等最新车型均搭载 Orin；2021 年 4 月，发布业内首款 1000TOPS 算力的系统级芯片 DRIVE Altan，相比上一代 Orin SoC 算力提升接近 4 倍，比如今大多数 L4 级自动驾驶车辆整车的算力还要强，预计于 2025 年量产上车；在今年 3 月的 GTC 大会上，英伟达推出了基于 Atlan 芯片的新一代自动驾驶平台 DRIVE Hyperion 9，并计划于 2026 年量产。英伟达自 1999 年提出 GPU 的概念以来一直不断迭代相关技术，而自动驾驶正是需要大面积的图像处理，因此英伟达也在当下以"CPU+GPU+ASIC"SoC 方案为主流的时代领跑行业。英伟达通过 Xavier 和 Orin 两代 SoC 建立起了良好的客户基础，而对大算力芯片/平台的布局也使英伟达建立起了代差优势，目前在 L3 级别及以上的自动驾驶方面优势明显。 2、Mobileye：L2 级及以下的自动驾驶所需处理的数据量小且算法简单，Mobileye 则是辅助驾驶领域的龙头，可以说是过去二十年间的汽车 ADAS 技术的主要奠基者和引领者。 Mobileye于 1999 年成立，成立以来公司以视觉感知技术为基础，推出了算法+EyeQ 系列芯片组成的一系列解决方案，可以帮助车企实现从 L0 级的碰撞预警，到 L1 级的 AEB 紧急制动、ACC自适应巡航，再到 L2 级的 ICC 集成式巡航等各种功能。尽管在 L3/L4 市场被英伟达和高通压制，但 Mobileye 在 L2 市场占有率依旧在 75%以上，具备绝对优势。2021 年，MobileyeEyeQ 芯片出货量高达 2810 万，截至 2021 年底 EyeQ 系列芯片累计出货量破亿。但是，随着自动驾驶逐步向高级别演进，Mobileye 的产品及方案逐渐失去优势，这其中包括两大原因：（1）在算力竞争中 Mobileye 落于下风。在 CES 2022，Mobileye 发布 EyeQ6H、EyeQ6L、EyeQ Ultra 三款芯片产品，算力分别为 34、5、176TOPS。在过去，Mobileye 的一代至五代EyeQ 芯片中，算力最高的也是 24TOPS（EyeQ5），即使 Mobileye 在今年发布的 EyeQUltra 已经相较过去大幅提高了算力，但距离英伟达、高通还有较大的距离；（2）Mobileye在过去以黑盒交付为主，封闭性太强。Mobileye 给车企提供的自动驾驶解决方案是芯片加感知算法的打包方案，EyeQ 芯片内部写好了 Mobileye 的感知算法，工作时 EyeQ 会直接输出对外部车道线和车辆等目标的感知结果，然后车企的算法基于这些结果做出驾驶决策。这样做的好处是可以满足寻求智能化转型的主机厂快速量产的需求，但从长期来看，这样做算力升级较为保守、迭代速度慢，并且难以满足主机厂的定制化的需求，这对于高速发展和变化的自动驾驶行业来说是不能被市场接受的。尽管从 EyeQ5 开始 Mobileye 已经开始尝试与合作伙伴实现开源协作，但和开放生态的英伟达和高通来比还是有较大差距。因此，Mobileye在过去 5-10 年丢失了部分重要客户。 3、高通：瞄准中高端自动驾驶市场，智能座舱领域王者向驾驶域进军。高通 2020 年推出的自动驾驶芯片平台 Snapdragon Ride 算力覆盖 10-700TOPS，支持 L1-L5 全场景的自动驾驶，尽管从算力层面上不及英伟达 Atlan 芯片，但也已大幅领先 EyeQ 等其余自动驾驶 SoC。其次，Ride 是高性能、低功耗的自动驾驶解决方案，例如 Ride 平台为 L4/L5 级别驾驶所需的700 TOPS 算力，同时平台上多个 SoC、加速器软硬件解决方案共同消耗的最高功率也只有130 瓦，效率达到 5.4TOPS/W，性能效率高，而且支持被动或风冷的散热设计，而不需要液冷装置，这样不仅极具经济效益，也具备更高的可靠性。由于现在 L3 自动驾驶正逐步落地，距离 L4-L5 级别还有一定距离，对算力的要求没有那么苛刻，因此高通凭借着 Ride 平台得以顺利地切入市场，也拿下了长城、通用、宝马、大众等重要客户的定点。另一方面，由于高通在座舱领域是绝对龙头，到目前已经打造了庞大的汽车生态，通过与主机厂在座舱域建立的合作关系，高通可以更便利地推广自己的驾驶域产品。同时在两域融合的趋势下，车厂若选择和座舱产品相同的供应商将会有更低的学习成本和维护成本，这也有利于高通拓展自己在驾驶域的产品。汽车电子电气架构持续演进，软件厂商获得新机遇汽车电子电气架构逐渐集中化，多域融合是大趋势。随着汽车不断向智能化、网联化方向发展，以单片机为核心的传统分布式电子电气架构已经很难满足未来智能汽车产品的开发需求。因此，汽车电子电气架构从传统分布式架构正在朝向域架构、计算架构转变，而集中化的 EE 架构也是实现软件定义汽车重要的硬件基础。从车内数个域控制器并存再到高性能计算机 HPC 的演进过程中，多个域控制器的融合、驾驶域与座舱域的融合成为了必要的趋势，最终具备强大的化算力的计算平台将统筹汽车智能座舱和自动驾驶的功能实现。集中化的 E/E 架构对汽车软件架构也提出了新的需求。随着汽车 EE 架构逐步趋于集中化，域控制器或计算平台以分层式或面向服务的架构部署，ECU 数量大幅减少，汽车底层硬件平台需要提供更为强大的算力支持，软件也不再是基于某一固定硬件开发，而是要具备可移植、可迭代和可拓展等特性。因此在软件架构层面上，汽车软件架构也逐步由面向信号的架构（Signal Oriented Architecture）向面向服务的软件架构（Service-Oriented Architecture，SOA）升级，以更好实现软硬件解耦与软件快速迭代。除了更高的灵活性，汽车软件架构还需要兼顾座舱域与驾驶域的需求，在多域融合的趋势下，既能满足驾驶域对功能安全的要求又能满足座舱域对功能丰富度的需求。相较过去，汽车软件的复杂度有明显提升。根据我们之前发布的报告《智能汽车深度系列之一：汽车软件的星辰大海》，目前汽车软件在智能汽车软硬件架构中自下而上可分为系统软件、功能软件、应用软件三类：（1）系统软件：由硬件抽象层、OS 内核（狭义上的操作系统）和中间件组件构成，是广义操作系统的核心部分；（2）功能软件：主要为自动驾驶的核心共性功能模块，包括自动驾驶通用框架、AI 和视觉模块、传感器模块等库组件以及相关中间件。系统软件与功能软件构成了广义上的操作系统；（3）应用软件：主要包括场景算法和应用，是智能座舱（HMI、应用软件等）以及自动驾驶（感知融合、决策规划、控制执行等）形成差异化的核心。在新型的架构下，软件厂商所参加的开发环节增加，软件开发难度也大幅提升，对汽车软件有深刻 Know-How 积累以及具备全栈能力（底层开发能力-中间件-上层应用）的厂商有望受益。具体来看： 1.座舱域与驾驶域的融合需要 Hypervisor 技术的支持在汽车电子电气系统中，不同的 ECU 提供不同的服务，同时对底层操作系统的要求也不同。根据 ISO 26262 标准，汽车仪表系统与娱乐信息系统属于不同的安全等级，具有不同的处理优先级。汽车仪表系统与动力系统密切相关，要求具有高实时性、高可靠性和强安全性，以 QNX操作系统为主；而信息娱乐系统主要为车内人机交互提供控制平台，追求多样化的应用与服务，主要以Linux 和 Android 为主。在 EE 架构趋于集中化后，虚拟化（Hypervisor）技术的出现让"多系统"成为现实。在电子电气系统架构从分布式向域集中式演进的大背景下，各种功能模块都集中到少数几个计算能力强大的域控制器中。此时，不同安全等级的应用需要共用相同的计算平台，传统的物理安全隔离被打破。虚拟化（Hypervisor）技术可以模拟出一个具有完整硬件系统功能、运行在一个完全隔离环境中的计算机系统，此时供应商不再需要设计多个硬件来实现不同的功能需求，而只需要在车载主芯片上进行虚拟化的软件配置，形成多个虚拟机，在每个虚拟机上运行相应的软件即可满足需求。Hypervisor 提供了在同一硬件平台上承载异构操作系统的灵活性，同时实现了良好的高可靠性和故障控制机制，以保证关键任务、硬实时应用程序和一般用途、不受信任的应用程序之间的安全隔离，实现了车载计算单元整合与算力共享。 2.车载中间件的重要性提升软件定义汽车时代下，中间件的作用愈发重要。随着 EE 架构逐渐趋于集中化，汽车软件系统出现了多种操作系统并存的局面，这也导致系统的复杂性和开发成本的剧增。为了提高软件的管理性、移植性、裁剪性和质量，需要定义一套架构（Architecture）、方法学（Methodology）和应用接口（Application Interface），从而实现标准的接口、高质量的无缝集成、高效的开发以及通过新的模型来管理复杂的系统，这就是我们所说的"中间件"。汽车行业中有众多的整车厂和供应商，每家 OEM 会有不同的供应商以及车型，每个供应商也不止向一家 OEM 供货，中间件的存在尽可能地让相同产品在不同车型可重复利用或是让不同供应商的产品相互兼容，这样就能大幅减少开发成本。因此，可以说中间件在汽车软硬件解耦的趋势中发挥了关键的作用。车企自研中间件难度较大，由软件供应商提供中间件方案或与供应商共同开发中间件更具性价比。中间件技术更加偏底层，目的是帮助主机厂降低上层软件的开发难度，提高开发效率。但终端用户并不关注自动驾驶的底层技术，他们更多地关注的是应用层，因此主机厂应该把更多的精力聚焦在那些可以向消费者展示竞争力的地方。此外，随着中间件越来越成熟，最终有望形成一套被广泛应用的标准化软件，对于主机厂而言没必要投入大量人力、物力去自研中间件，由中间件供应商提供更具性价比。当然也有主机厂认为，中间件的功能对于实现自动驾驶有重要意义，例如数据通信、资源管理、任务调度等，同时中间件对应用功能的实现也会有影响，因此中间件还是需要存在差异性的，此时部分主机厂会选择自研中间件。百度、蔚来、小鹏等厂商的自研自动驾驶 OS，都是在基础内核之上进行中间件和应用软件自研（ROM 型操作系统）。但对于主机厂而言，对软件及中间件 Know-How 积累较浅，也没有太多成功的案例，即使通过大规模地招聘，若没有软件公司的思维也难以协调好众多的软件人才。对于软件/中间件供应商而言，他们更加容易与多家主机厂达成合作，从而扩大软件和中间件应用的范围和场景，对 Know-how 的积累是显著优于主机厂的。因此对于主机厂而言，更可行的道路还是跟专业的中间件厂商合作，以此保证自己开发的个性化软件可以顺利地与通用化软件组合起来，而供应商也可以在提供标准产品的基础上再为主机厂提供半定制化的服务。 3.座舱 OS 向整车 OS 演进车载操作系统将逐步由座舱 OS 向整车 OS 演进。很多汽车 OS 厂商是从车机 OS 入局的，如苹果 CarPlay、百度 CarLife、华为 Hicar 等，过去手机芯片、OS 和应用生态均优于汽车，因此将手机功能映射到汽车中控可以满足车主对娱乐的需求。随着汽车芯片以及软件生态的发展，当前汽车操作系统已步入座舱 OS 阶段，未来随着座舱域与自动驾驶域的融合，座舱 OS 将进一步向整车OS 迈进。在 2020 年初，斑马智行提出了 AliOS 操作系统演进三部曲战略，即智能车机操作系统、智能座舱操作系统、智能整车操作系统。如今斑马智行已经进入到了座舱 OS 阶段，下一阶段将重点布局智能整车 OS，以"OS+AI+芯片"为智能汽车决策核心，在操作系统层面推进汽车分布式智能向整车智能逐渐迈进。根据佐思汽研预测，2024 年以后将迈向整车 OS 阶段，届时软件厂商的竞争力在于是否具备座舱域（HMI、APP 开发优化等）与驾驶域（AI、视觉能力等）的全栈能力。我们认为，在自动驾驶技术与汽车电子电气架构快速演进的时代，汽车软件厂商的机遇与挑战并存。首先，汽车软件厂商在产业链中的地位较原来有所上升，此外也将受益于软件价值的持续提升，但与此同时，也需要持续丰富自身的产品矩阵并提升硬件能力，以提供软硬件的全栈解决方案： 1、软件供应商一跃成为 Tier1 供应商。由于汽车软件开发难度提升，传统的汽车零部件供应商研发能力难以满足需求，此时车厂开始绕过传统一级供应商，直接与原有的二级供应商（芯片、软件算法等厂商）合作。在软件定义汽车时代，软件重要性不言而喻，整车厂为了掌握主导权并降低高昂的研发成本，往往会选择直接与具备较强的独立算法研发能力的软件供应商合作，因此这些软件供应商一跃成为了 Tier1 厂商。 2、随着智能汽车功能复杂度的不断提升，单车软件授权费价值有望持续提升。智能汽车软件的商业模式是"IP+解决方案+服务"的模式，Tier1 软件供应商的收费模式包括：一次性研发费用投入，购买软件包，比如 ADAS/AD 算法包；单车的软件授权费用（License），Royalty 收费（按汽车出货量和单价一定比例分成）；一次性研发费用和单车 License 打包。若不考虑复杂度极高的自动驾驶软件，目前单车软件 IP 授权价值量大致在 2-3 千元左右。未来随着智能汽车功能以及操作系统的复杂度不断提升，单车软件授权费价值有望持续攀升，这也为 Tier1 软件供应商带来了机遇。 3、软件供应商需要不断丰富产品矩阵，并逐步提升硬件能力。随着 OEM 主机厂自主权和软件自研能力的不断加强，OEM 主机厂开始寻求与软件供应商的直接合作。比如 OEM 厂商将首先寻求将座舱 HMI 交互系统功能收回，UI/UX 设计工具、语音识别模块、音效模块、人脸识别模块等应用软件则直接向软件供应商购买软件授权，从而绕过了传统 Tier1，实现自主开发。对于软件供应商来说，能提供越多的软件 IP 产品组合，就可能获取更高的单车价值。同时，软件供应商也正寻求进入传统 Tier1 把持的硬件设计、制造环节，比如域控制器、TBOX等，以提供多样化的解决方案。自动驾驶产业链硬件厂商有望受益车载摄像头量价齐升，迎来向上加速拐点高阶自动驾驶呼之欲出，单车摄像头用量逐级提升。在自动驾驶系统中，车载摄像头是实现众多预警、识别类功能的基础，超过 80%的自动驾驶技术都会运用到摄像头。目前 L2 级别摄像头搭载量在 5-8 颗，L3 级别能到 8 颗以上，蔚来 ET7、极氪 001、小鹏 P5、极狐 Hi 版车身摄像头搭载量分别为 11、12、13、13 颗，且像素以 500-800 万高像素为主，到 L4/L5 阶段则有望达到 10颗甚至 15 颗以上，相比 L1 级别 1 颗的用量，车载摄像头搭载量将显著提升，车载光学市场正迎来加速放量阶段。技术升级助推 CIS 单价提升，图像传感器厂商有望受益。车载摄像头需要应对多路况环境等，其核心部件 CIS（CMOS Image Sensor）需要解决包括 HDR、LFM、低照等关键技术难题以匹配车载摄像头高像素、高性能、高稳定性的趋势，新工艺的升级将推升 CIS 的单位价值。CIS 约占摄像头总成本 50%，是解决包括 HDR、LFM、低照等关键技术的核心部分。据 EEWorld， 1-2MP 汽车 CIS 单价为 3-8 美金，8MP 汽车 CIS 单价为 10 美金以上。随着汽车单车摄像头用量提升及像素升级，我们测算 2020 年全球汽车 CIS 市场规模约 10 亿美元，2025 年有望达到 50 亿美元，长期有望达到 100 亿美元以上。国内 CIS 厂商如韦尔股份、思特威持续受益。车载光学起量带动 ISP 持续增长。车载摄像头用量的提升将助推图像信号处理器 ISP (Image Signal Processor)市场空间的增长，ISP 主要作用是对前端图像传感器输出的信号进行运算处理。据 Yole 预测，视觉处理芯片规模有望从 2018 年的 95 亿美元增长到 2024 年的 186 亿美元，18-24 年 CAGR 为 14%，其中 2018 年 ISP 占比约 37%。车载摄像头起量带动 ISP 市场增长也为国内厂商提供了良好的发展机遇。国内 CMOS 传感器厂商积极参与 ISP 的开发生产：（1）思特威购买深圳安芯微专利及技术人员，加速和辅助推动公司部分具备 ISP 二合一功能的图像传感器的开发进度；（2）韦尔股份子公司豪威科技提供多款内置 ISP 芯片的汽车 CIS 图像传感器之余，还提供独立的 ISP 芯片产品。芯片厂商正加速布局车用 ISP：（1）国内专注安防领域富瀚微在 2018 年 8月宣布推出百万像素以上的车规级 ISP 芯片 FH8310，且与国内著名车厂 BYD 合作并快速量产；（2）北京君正收购北京矽成后，车载 ISP 研发也在加速进行中。自动驾驶向高级别进阶，激光雷达装车小高潮来临多传感器融合大势所趋，激光雷达必不可少。作为自动驾驶的传感器之一，激光雷达以激光作为载波，波长比毫米波更短，探测精度高、距离远。不过受限于技术难度大、成本高，目前还未实现大规模装车。为了实现无人驾驶功能性与安全性的全面覆盖，传感器的融合与冗余将成为未来的主旋律，激光雷达作为探测精度、分辨率更高的关键一环，伴随其工艺的不断成熟，成本的逐渐下探，其将在 L3 及以上车型实现规模化装车应用。另一方面随着 Robotaxi／Robotruck 的商业化落地，未来该领域的车队规模将加速扩大。沙利文研究预计，至2025年新落地车队规模将突破60 万辆，给激光雷达的应用带来广阔下游空间，二者将共同驱动激光雷达市场迎来繁荣。沙利文研究预计，至 25 年全球激光雷达市场规模为 135 亿美元，19-25E CAGR 65%；其中无人驾驶和ADAS 领域市场规模将分别增至 35/46 亿美元，19-25E CAGR 为 81%/84%，将占激光雷达总规模的约 6 成。高功率半导体激光器层面，VCSEL 未来将有望逐渐取代 EEL，国内 VCSEL 厂商有望受益。EEL发光面位于晶圆侧面，需要进行切割、翻转、镀膜、再切割，且每颗激光器需用分立光学器件进行光束发散角的压缩和手工装调，极大依赖工人的手工装调技术，生产成本高且一致性难以保障。而 VCSEL 发光面与半导体晶圆平行，其所形成的激光器阵列易于与平面化的电路芯片键合，无需再进行每个激光器的单独装调，具有效率高、光束质量好、精度高、功耗低、小型化、高可靠、调制速率快、可大量生产、制造成本低等优势，伴随智能驾驶的发展未来有望逐渐取代 EEL。国内 VCSEL 厂商长光华芯、炬光科技有望深度受益：长光华芯自成立以来始终专注高功率半导体激光芯片的研发生产，建立了国内全制程 6 吋 VCSEL 产线，目前商业化单管芯片输出功率达到30W，巴条芯片连续输出功率达到 250W（CW），准连续输出 1000W（QCW），VCSEL 芯片的最高转换效率 60%以上，产品性能指标与国外先进水平同步。炬光科技生产基于 VCSEL 激光器的激光雷达面光源、线光源及光源光学组件等，截至 20 年 9 月末，公司已与北美、欧洲、亚洲多家知名企业达成合作，包括 Velodyne、Luminar、福特旗下知名无人驾驶公司 Argo AI、德国大陆集团等。智能座舱芯片算力需求上升，车载触控显示空间广阔智能座舱算力需求快速上升，国内厂商享本土化优势。智能座舱是人车交互入口，显示屏数量的增加以及软件应用等配套将带动座舱数据量呈指数级增长。据 IHS Markit，24年智能座舱 NPU算力将达到 136TOPS,近 21 年 10 倍，CPU 算力也将是 21 年的 3 倍之上。伴随传统垂直化供应链逐渐被打破，座舱 SoC 作为核心硬件之一，未来将得到车企的大力重视。智能座舱芯片供应商晶晨股份等国内公司有望充分享受智能座舱快速增长以及供应链本土化机遇。车载显示方兴未艾，用量、尺寸、技术同步进阶升级。车载显示作为智能座舱终端系统，帮助实现人车交互智能体验，随着自动驾驶不断深入，传统仪表盘、中控屏等面临着升级和集成，催生车载显示器大屏化、多屏化、联屏化趋势。车载触控显示供应商长信科技有望持续受益。免责声明：本文转载自"ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。

（以下报告出品方/作者：中信建投证券/刘双锋，范彬泰）一、物联网驱动的电动化和智能化带来功率半导体新周期（一）复盘 2020-2021 年功率半导体周期：涨价与隐忧自 2019 年底开始，5G 手机的普及率不断上升，是整个半导体行业需求的动力来源。市场对未来几年5G手机的强劲增长充满信心。暂停按钮已被按下。随着疫情的进一步发展，远程办公带来了对远程服务器的巨大需求，沉寂了10年的笔记本市场带来了显着增长。同时，在双碳政策的推动下，国内电动汽车的快速发展进一步刺激了对功率半导体的需求。要求。在需求端正增长趋势下，芯片供给端受疫情影响明显萎缩。马来西亚全球功率半导体封装和试验城市无限期关闭，无疑会加剧功率半导体产业的发展。由于功率半导体供需错配，本来产品价格较低的功率器件在晶圆厂产能供给的优先权就比较低，晶圆产能供给紧张的时候代工和封测成本端大幅上升，各大功率半导体厂商纷纷大幅上调产品价格，预计行业平均价格涨幅超过 20%，部分产品甚至价格上涨了 7-8 倍。根据我们对于 2020-2021年这一轮周期的复盘，行业平均毛利率在 2021 年 Q3 创近十年历史新高，行业接近 29%的增速高点也远超上一轮周期的增速高点。但是疯涨的功率半导体行情也让市场对于 2022 年的价格回调压力充满担忧，大家对于 2018 年 Q4 开始的下行周期中价格下跌的惨烈仍历历在目，尤其是消费类相关的功率半导体价格，2022 年跌价压力较大。（二）功率半导体下游应用全面开花，电动车和光伏/风电新能源领域需求激增在全球分立器件的下游需求中汽车占比最高，达到 35%左右，国内市场中汽车行业对于分立器件的用量占比为 27%。以 MOSFETs 为代表的中低压分立器件广泛应用于汽车的电动天窗、雨刮器、安全气囊、后视镜等领域，纯电汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC 转换器对于 MOSFETs的需求进一步增加。另外汽车车灯转为 LED 大灯以后，MOSFETs 的需求量从原来每个车灯需要 1 颗增加至 18 颗，很多造车新势力热衷的车顶和侧边渐变玻璃对于 MOSFETs 的需求也在增长。传统燃油车中仅有少量的 IGBT 单管用于发动机点火器，纯电汽车的动力系统转为电池以后，IGBT 模块成为电驱系统中逆变器的标配，此外新能源汽车在车载充电机（OBC）、DC-DC 升压器、电空调驱动也需要用到 IGBT 单管。根据产业链调研与我们测算，四驱版本的纯电车型前后双电机各需要 18 颗 IGBT，车载充电机需要 4 颗，电动空调 8颗，合计一台电动车需要 48 颗 IGBT 芯片。根据 Strategy Analytics 测算，传统燃油车功率半导体用量仅为 71 美元，48V 轻混车型功率半导体价值量增值至 90 美元，而纯电车型的功率半导体用量增幅高达 364%，大幅上涨至 330 美元。双碳政策下，以光伏和风电为代表的新能源发电的装机量大幅增长，太阳能发电中 DC-DC 直流转换器和光伏逆变器均需要用到 IGBT 作为功率开关。其中逆变器的效率很大程度上取决于设计使用的元器件，元器件的性能可以由功率损耗来衡量，功率损耗分为导通损耗和开关损耗。相较于 MOSFETs 而言，IGBT 适用于较低开关频率和大电流的应用，大电流下 IGBT 的导通损耗比 MOSFET 更低，MOSFET 有能力满足高频、小电流的应用，具有更低的开关损耗，更适合开关频率在 100KHz 以上的逆变器模块。从逆变器类别来看，由于微型及单相逆变器功率较小，一般采用 IGBT 单管方案为主，高功率三相逆变器则采用 IGBT 模块，低功率三相逆变器则两种方案都有采用。目前集中式光伏逆变器成本在 0.16-0.17 元/W，组串式光伏逆变器成本在 0.2 元/W 左右，总体光伏逆变器成本在 0.2 元/w，IGBT 模块占光伏逆变器的成本比例约为 15%，每 GW 对应功率半导体的价值量约为 0.3 亿-0.4 亿元。除了电动车和光伏发电两大驱动力以外，智能家居中也大量用到功率半导体的分立器件，比如多功能扫地机器人。在一个扫地机中，可能会有不同的部分用到这样的功率分立器件：无线充电、电池管理系统、音频放大器、吸尘器、清洁系统电机控制、移动电机控制等，由于功能不同，所需要的 MOS 也不尽相同，大约在 2-6 颗不等。（三）功率半导体行业竞争格局全球功率半导体行业市场规模在 2019 年达到 464 亿美元，相较于上一轮高景气周期的 2018 年同比下滑 3.53%。2020 年和 2021 年在疫情影响全球进入"居家办公模式"，服务器和 PC 的强劲复苏叠加高景气的电动车和新能源发电需求刺激，功率半导体行业迎来拐点。SIA 预计 2021 年全球半导体的销售额将达到 5530 亿美元，创下新高，同比增长 25.6%，全球功率半导体龙头厂商英飞凌 Infineon，恩智浦 NXP，意法半导体 STM，安森美 ON semi，2021 年前三季度分别成长 32.5%，31.43%，31.8%和 28.5%，我们预计全球功率半导体的行业增速预计在 2021 年有望达到 30%，市场规模将接近 600 亿美元。从全球功率半导体分立器件需求结构来看，汽车是需求最大的领域，占比达到 35%，其次是工业和消费电子领域，需求占比分别为 27%和 13%。从产品形态分类，功率半导体可以分为分立器件、模组和功率 IC 三大类别，一类是分立器件指单管，即 1 颗芯片加上封装外壳，第二类是模块，把几个单管和特定功能的电路封装在一起构成模块，第三类就是功率 IC，包括交流直流转换器 AC/DC，直流-直流转换器 DC/DC，电源管理 IC 和驱动 IC。2019 年分立器件/模组与功率 IC 的市场规模分别为 224 亿和 240 亿美元，其中英飞凌是分立器件和模组市场当之无愧的全球龙头，市占率高达 19%，美国功率半导体大厂安森美市占率为 8.4%，功率 IC市场占有率最高的是德州仪器 TI，市场份额为 16%，其次是英飞凌和 ADI，占比分别为 7.7%和 7.2%。根据 Omdia 的统计，2019年国内功率半导体市场规模约为 177 亿美元，约占全球市场需求的 38%，2020年随着半导体行业复苏进入新一轮高增长周期。目前国内功率半导体分立器件厂商营收规模最大的是闻泰科技收购的安世半导体，2020 年营收达到 96.4 亿元人民币，2021 年大幅成长 53.3%，功率半导体营收增至147.8 亿元。我国本土 IDM 厂商中功率半导体营收规模最大的厂商是华润微电子，2020年公司功率半导体营收达到 28 亿元，预计 2021 年营收同比增长 49.3%，超过 41 亿元人民币。Fab-less 模式为代表的 MOSFET 厂商无锡新洁能和 IGBT 模组厂商嘉兴斯达半导在2021 年实现了更快的成长，2021 年营收两者预计将分别大增 64.8%和 71.6%。前十大国内功率半导体厂商 2021 年营收规模合计达到 362.5 亿元，同比成长57.4%，相较于国内集成电路产业 2021 年前三季度 16.1%的成长速度，显示了功率半导体产业超预期的复苏态势。国内主要的功率半导体厂商以分立器件为主，包括二极管、整流管、MOSFETs 等，二极管三极管属于基本的电子元器件，这些年技术迭代较慢，价格也比较低廉，行业壁垒较低。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，与 PN 二极管不同，肖特基二极管不是利用 P 型半导体与 N 型半导体接触形成 PN 结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体势垒原理制作的。肖特基二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，例如手机和手持设备适配器、彩电的二次电源整流、高频电源整流等应用。近年来随着手机等手持设备电源适配器等快充电源小型化的市场变化，传统肖特基已不能够满足低导通电压的需求，采用沟槽结构的 TMBS将成为肖特基产品的技术主流。功率 MOSFET 是 70 年代在经典 MOSFET 的基础上发展而来的，主要作为功率电子开关使用。不同于经典 MOSFET，功率 MOSFET 重点提高了功率特性，尤其是增加器件的工作电压和工作电流。功率 MOSFET 围绕如何解决耐压和功耗之间的矛盾产生了许多新的工艺结构，从 LD MOSFET 结构起步经历了 VV MOSFET，VU MOSFET，VD MOSFET，SJ MOSFET（超结）,Trench MOSFET（沟槽型）, SGT MOSFET（屏蔽栅）。沟槽型 MOSFET，主要用于低压（100V）领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中低压（200V）领域；SJ-MOSFET，即超结 MOSFET，主要在高压（600V-800V）领域应用。SGT MOSFET（Shield Gate Trench MOSFET）是一种新型的功率半导体器件，SGT 工艺比普通沟槽简单，开关损耗小。再加上 SGT 比普通沟槽工艺挖掘深度深 3-5 倍，可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，这也使得 SGT 的内阻比普通 MOSFET 低 2 倍以上，所以 SGT MOSFE 作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。目前国内功率半导体厂商众多，产品线差异也比较大，营收规模较大的厂商主力产品是 MOSFETs，随着电动车和光伏、风电等新能源发电领域对于 IGBT 的大幅需求增长，各个厂商开始逐步将产品线扩展至 IGBT，部分龙头厂商已经开始布局第三代半导体 SiC 衬底的功率 MOSFET。根据我们的统计，目前国内在功率半导体产品布局最完善的厂商是闻泰科技旗下的安世半导体，首先公司主力产品线覆盖了晶体管（包括保护类器件 ESD/TVS 等）、Mosfet 功率管、模拟与逻辑 IC 三大领域，小型号 MOSFET 居于全球排名第二，公司汽车类 POWER MOSFET 预计市场地位仅次于英飞凌。其次公司通过提高研发投入进一步加强了在中高压 Mosfet、化合物半导体产品 SiC 和 GaN 产品布局，同时收购英国 Newport 晶圆厂 100%股权，获得了 4000 片/月的 IGBT 产能，目前公司汉堡工厂已经开始搬入碳化硅设备，预计 SiC MOSFET 新品在 2022 年量产。在 MOSFET 领域，新洁能和华润微在沟槽 MOS，屏蔽栅 SGT-MOS 和超结 SJ-MOS 等高附加值的产品具备技术领先优势，新洁能是国内率先掌握超结理论技术，并量产 SGT MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一，是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、SGT MOSFET 产品平台的本土企业。中低压 MOSFET 基本上已经由国产厂商供应为主，SGT-MOSFET 的国产替代趋势已经比较明确，随着 5G、AI、 EV（电动汽车）等应用市场的发展，对于 SGT-MOSFET 的需求将持续增长。在 IGBT 领域，比亚迪半导体和时代电气分别是国内供应新能源车规 IGBT 和轨交列车 IGBT 的龙头厂商，先发优势明显，士兰微在在家电领域应用为主的 IPM 模块市场占据明显优势，2021 年市占率接近 10%，斯达半导在 IGBT 模组领域积累多年，目前已经切入 IGBT 芯片的设计，车规级 IGBT 模块已经大批量出货。（四）功率半导体行业供需分析假设 2030 年全球汽车销量达到 1 亿辆，如果 50%的燃油车替换为电动车，对应约 5000 万辆电动车，按照单车功率半导体价值量为 400 美元计算，预计全球车规功率半导体市场规模达到 200 亿美元，如果国内电动车市场占全球的 50%，那么 2030 年国内车规功率半导体市场空间将达到 100 亿美元。存量市场 2021 年全球功率半导体市场规模将增长至 441 亿美元，国内需求占全球市场份额的 36%，2021 年市场规模有望达到 159 亿美元，未来十年按照 5%的复合增速测算，存量市场如工控和家电领域的需求在 2030 年将达到 239 亿美元。光伏领域对于功率半导体市场需求为 30 亿美元，加总以后预计到 2030 年国内功率半导体市场空间达到 369 亿美元，对应 2500 亿人民币左右的市场空间。 1 台新能源汽车平均消耗一片 8 英寸硅片，其中分立器件、IGBT 消耗 0.4 片，DMOS 占 0.1 片，IC 占了 0.5 片，主要是 MCU 和电源管理芯片，2021 年新能源汽车销量为 340 万台，同比增长 1.5 倍，预计 2022 年国内新能源汽车销量达到 500 万辆，对应的增量需求为 160 万片 8 寸晶圆，折合 13~14 万片月产能，如果 2025 年国内电动车销量达到 1000 万辆，对应增量需求为 54-55 万片月产能。截止 2020 年 12 年全球晶圆产能约为 2082 万片/月（等效 8 寸），中国大陆晶圆产能占比为 15.3%，预计为 318.4 万片/月（等效 8 寸），国内主要晶圆厂 12 寸产能约 100 万片/月，8 寸产线约为 115 万片/月。其中我们统计国内所有功率半导体厂商新增产线的产能增量，预计 2022 年全年新增功率半导体产能为 18 万片/月（等效 8 寸），如果假设 2022 年国内新增电动车销量为 200 万台，全球新增 500 万台电动车，所需要对应约 250 万片 8 寸的年产能，对应需要新增 20.8 万片月产能，而全球功率半导体的新增产能几乎都在中国，仅仅满足全球的电动车的需求新增供给尚且不够，如果考虑光伏需要的产能则供应缺口进一步增加。二、电动车大时代：IGBT 厂商 IDM 为王在新能源汽车中，IGBT 主要应用于电机驱动控制系统、热管理系统、电源系统等，具体功能如下：在主逆变器中，IGBT 将高压电池的直流电转换为驱动三相电机的交流电；在车载充电机中，IGBT 将交流电转化为直流电并为高压电池充电；在 DC-DC 变换器中，IGBT 将高压电池输出的高电压转化成低电压后供汽车低压供电网络使用；此外，IGBT 也广泛应用在 PTC 加热器、水泵、油泵、空调压缩机等辅逆变器中，完成小功率 DC-AC 转换。（报告来源：未来智库）（一）电动车爆发带来 IGBT 需求激增 1、电驱逆变器中的 IGBT 电驱系统是纯电汽车的核心，可以理解为传统燃油车的发动机，主要包含了逆变器（Inverter），减速器（Gearbox）和电机(Motor)。逆变器中的电子电力控制器件如 IGBT/SiC MOSFET 将电池中的直流电转逆变为交流电传送到三相电机，电机从 0rpm/min 开始输出峰值扭矩，但当电机转速高于恒扭矩区间时，电机扭矩就会有所下降，所以这时就需要减速器的介入，减速器通过多级齿轮的传动即可实现降低转速、提升扭矩的效果，从而满足车辆高速行驶时对扭矩的需求。电驱系统未来的发展趋势是高度集成化，目前主流的电驱采用三合一的集成电驱，如果按照 2021 年 340 万台电动车的出货量测算，我们预计国内电驱市场容量为 221 亿元左右。通常我们将交流转换为直流称为整流，反过来直流转换为交流则称为逆变，电动车的逆变器承担的核心职能是将动力电池输出的直流电转换为交流电供驱动电机使用。纯电动汽车上的逆变器位于电机控制器（MCU 内），除了逆变器外，还有控制器一起组合在 MCU 内，MCU 是整个动力系统的控制中心。控制器是接受驱动电机的需求信号，当车辆制动或者加速时，控制器控制变频器的频率升降使汽车行驶。逆变器接受动力电池输出的直流电能，逆变成三相交流电提供给电机运转，在电动汽车制动过程中又起到制动回收电能的作用。逆变器内部是由 6 个 IGBT 组成。电动车的功率半导体价值增量大部分来自 IGBT 模块，单车 MOSFETs 才 400 元左右的价值量，1 个 IGBT 模块大概是 1000 元左右，目前 A0/A00 级电动车用 1 个逆变器， 1 个 IGBT 模块，如果是四驱的电动车一般采用 2 个模块，价值量为 2000 元左右，大巴车用 3 个模块，3000 左右，所以 IGBT 平均单车价值量在 2000 元人民币。 2、车载 OBC 用到的 IGBT 车载充电机是指固定安装在电动汽车上的充电机，具有为电动汽车动力电池，安全、自动充满电的能力，充电机依据电池管理系统（BMS）提供的数据，能动态调节充电电流或电压参数，执行相应的动作，完成充电过程，通常车载充电机作为一个节点，挂在 CAN 总线上，通过 CAN 与整车控制器交换数据。充电器有许多不同的功率等级，功率等级越高，充电时间就越短。这些充电器需要大量的交流电源，根据车载充电器的设计，由单相或三相电源供电。依据全球可用的典型交流电源，已发展出四个通用功率等级，3.3kW 和 6.6kW 充电器已成为基本构建块用于所有功率等级的充电器。11 kW 和 22 kW 充电器都是将三个单相单元结合起来，每个单元运行三相中的一相。来自电网的交流输入源被滤波、整流并馈送到一个多相 PFC 电路中。PFC 电路是开关电路，负责控制输入正弦波的导通周期，以调节使输入电流与输入电压一致。这种电压-电流调节对交流电源产生一个高功率因数，且需要通过大多数电力公司的调节。这过程分几个阶段，将传导损耗分散到一组更广泛的器件上。下一个模块使用 H 桥转换器来降低直流电压，并将其传送到变压器的输入端。该块通常采用谐振 LLC 电路设计，且对变压器施加的电压大小的控制使对电池功率的调节更简单。最后，对变压器的输出进行整流、滤波和连接到高压电池。价值量方面，以 6.6KW 慢充为例，大概需要 20 多颗 IGBT 和 MOSFET 分立器件，总体成本在 300 元以下。 3、充电桩中的 IGBT 模块充电桩按充电能力不同可以分为交流慢充和直流快充两大类，以处理不同的用电场景。一级充电桩是120 V、输出 15 A 或 20 A 的交流充电桩，每充电 1 小时增加约 4 至 6 英里里程。二级充电功率有 3.3 kW、6.6 kW、9.6 kW、19.2 kW 四种功率级别，适用于输出电流分别达 20 A、20 A、50 A、100 A 的 240 V 交流电源插座。直流快速充电(DCFC)桩的输入电压为 440 V 或 480 V，能在 30 分钟内充到 80%左右，用于公共充电桩。充电桩将由现在主流的 60 kW、90 kW 发展到将来的 150 kW、240 kW，相应地充电桩电源模块将由现在的 15 kW、20 kW、30 kW 提高到将来的 40 kW、50 kW、60 kW，以缩短充满电的时间。例如，210 kW 电动汽车充电点由 14 个 15 kW 模块组成，每个 15 kW 的电池充电器模块都是由 3 相交流 380 V 输入，经过 3 相 Vienna 功率因数校正(PFC)后，电压升高到 800 V 直流电压，再经过高压 DC-DC 输出 250 V 至 750 V 直流电压。 Vienna 整流＋LLC 构成了充电桩的基本电路。如果考虑设备成本，使用 Si 基 IGBT 和超级结 MOSFET、 FRD（快恢复二极管）方案更具成本优势；如果需要高功率密度和高效率，碳化硅 MOS/SBD 方案更具性能优势。PFC 部分更适合使用碳化硅器件，理由有二：其一，高温时导通电阻增加较少，能实现高效率，同时可抑制发热，使用更小的散热板；其二，碳化硅器件的恢复损耗非常小，开关损耗较小，能够提高工作频率，有助于输入线圈的小型化。作为硅器件解决方案，Si 基的超级结 MOS 和 IGBT 也是不错的替代方案。价值量方面，慢充 20KW 以内用半桥工业 IGBT，单桩价值量在 200 元以内，如果采用超级快充 100KW 以上，超大功率的充电桩会采用 SiC 方案，成本会成倍增加，整体价值量会提升至 1000 元以上。（二）IGBT 市场需求结构和市场需求预测 1、预计 2021 年全球市场规模约为 76.8 亿美元，车规需求快速增长 2019 年全球 IGBT 市场规模预计在 64 亿美元，2020 年略有下滑至 60.47 亿美元，2021 年市场开始快速复苏，预计 2021 年全球 IGBT 市场规模将同比增长 20%，将达到 76.8 亿美元。从市场结构来看，IGBT 主要以 IPM 模块和 IGBT 模组形式为主，两者合计营收占比超过 76%，在分立单管和 IGBT 模块占比最高的是德国英飞凌，市占率超过 30%，在 IPM 模块市场日本三菱市占率排在第一位，高达 32.7%。从 2020 年 IGBT 模块全球应用占比来看，工业控制占比 33.5%，是目前 IGBT 最大的应用领域，新能源汽车占比 14.2%。未来，汽车电动化、智能化推动车规级 IGBT 成为增长最快的细分领域。根据集邦咨询的统计，2018 年中国 IGBT 市场规模预计为 153 亿人民币，相较 2017 年同比增长 19.91%， 2020 年受益于新能源汽车和光伏、风电等新能源发电领域需求的大幅增长，我国 IGBT 市场规模持续增长，我们预计 2025 年国内 IGBT 市场规模将增加至 592 亿元，2020 到 2025 年复合增速 CAGR 为 27%。从需求结构进行分析，2018 年国内 IGBT 需求占比最大的领域是新能源汽车，占比为 31%，紧随其后的是消费电子和工业控制，市场规模占比分别为 27%和 20%。 2、新能源汽车销售快速增长，带动国内 IGBT 厂商崛起根据中汽协的统计，2021 年预计中国新能源汽车销量将达到 340 万辆，相较于 2020 年 137 万辆新能源汽车的销售，同比大增 148%。根据产业链调研，我们预计 2021 年国产厂商配套的新能源汽车占比提升，其中斯达半导体配套汽车辆为 50 万套，占比 15%，比亚迪半导体主要配套同一集团旗下的比亚迪车型，根据公司 2020 年产能为 40 万套预计在车载 IGBT 市场占比 12%，随着中车时代电气一期产能的满产，预计配套电动车约 24 万辆占比 7%，特斯拉销售预估在国内销售量为 40 万，占比 12%，特斯拉的车型主要意法半导体供应 SiC 作为逆变器的核心器件，英飞凌作为国内车载 IGBT 龙头厂商预计继续保持接近 50%的市占率，其他德国和日本的厂商供应占比约为 13%。 2021 年 10 月开始，全球汽车领域缺芯情况逐渐缓解，我们预计 2022 年国内新能源汽车销量有望超过 500 万辆达到 550 万辆，同比成长 62%。通过我们的产业链跟踪与调研，国内厂商 IGBT 产线在 2021 年底相继投入量产，预计 2022 年国内车载 IGBT 芯片市场格局将发生较大的变化。首先是市占率提升最明显的预计是中车时代电气，由于公司月产能 2 万片的 8 寸线在 2021 年底已经投产，满产能够供应 200 万辆新能源汽车所需的 IGBT 模块，拉平全年预估公司车载 IGBT 配套的汽车为 106 万辆，市占率从 7%提升至 19%，其次是士兰微由于 12 寸 IGBT 产线投产，预计明年有望配套 20 万辆左右电动车，市占率达到 4%。美国安森美预计在 2022 年配套约 20 万辆左右的电动车，市占率预计为 4%。比亚迪和意法半导体的市占率预计将保持稳定，斯达和英飞凌的占比将出现下滑。 3、IGBT 国产替代加速进行，2025 年市场空间将 500-600 亿从投资功率半导体的角度，我们更看好的是 IGBT 领域的布局，一方面 MOSFET 的技术相对成熟，另一方面就是电车的增量功率需求也主要是 IGBT。2019 年到-2020年国内新能源汽车销售规模为 120-130 万台，增速相对平稳，2021年国内新能源汽车销量达到 340 万台，按照单车功率半导体价值为 3000 元计算，对应约 102 亿左右的车载 IGBT 市场规模。预计到 2025年国内新能源汽车销售量将达到 1000 万台左右，对应需求空间约为 300 亿左右（不考虑 SiC 对于 IGBT 的替代）。光伏市场今年按照 200GW 的装机量测算，预计市场规模为 50亿人民币左右，预计 2025年光伏逆变器装机量将达到 400GW 左右，对应市场需求将达到 110 亿人民币。存量市场主要是工业，家电和燃油车领域用到的 IGBT 需求，预计 2021 年市场规模约为 150 亿，工控领域占比较高，预计为 100 亿人民币，如果未来 5年工控领域带动存量的IGBT 市场按照每年 5%左右的复合增速成长，预计 2025 年将达到 182 亿人民币。综合存量市场的工业和家电需求，加上高速增长的车载和光伏对于功率半导体的需求大幅增长，预计到 2025年国内功率半导体市场规模将达到 592.3 亿元。2021 年车用 IGBT 才 60 亿规模，光伏逆变器用 IGBT50 亿规模，乐观来看，车用 IGBT 增长空间还有 5 倍，光伏还有 2 倍，合计还有四倍的增长空间。（三）IDM 模式最终胜出，产业链各个环节的竞争力综合体现 IGBT 下游的需求主要集中在汽车、工业控制和家电等领域，不同于 MOSFET 多以分立器件形式应用为主， IGBT 则以更常见的形式如 IGBT 模块和 IPM 模块广泛应用于汽车和家电终端产品，尤其是汽车工业在欧洲、日本和美国更为发达，所以 IGBT 芯片市场主要被德国英飞凌，日本罗姆、三菱以及美系大厂安森美和 ST 意法半导体等厂商控制。由于 IGBT 芯片从晶圆生产到芯片封测以及模块封装一般都是采用 IDM 模式，所以 IGBT 模块供应商也主要由芯片厂商提供。IGBT 模块是电动汽车逆变器的核心元器件，所以博世、电装、德尔福等 Tier1 汽车零部件集成厂商会采购 IGBT 模块生产电驱系统供给下游的汽车主机厂，此外也有部分国内的主机厂如长城汽车、长安汽车、奇瑞和蔚来自主生产逆变器。国内电动车销量占据全球电动车市场的半壁江山，但是由于疫情影响，欧美 IGBT 大厂海外工厂产能利用率较低，英飞凌车载 IGBT 平均交期在一年以上，国内汽车主机厂由于缺芯影响严重制约汽车销售。国内自主品牌厂商作为电动车的主力军，率先导入国产 IGBT 芯片产品，这给了国产 IGBT 芯片崛起的历史性机遇。比亚迪作为国内电动车的龙头企业，旗下比亚迪半导体在 2008 年收购宁波中玮的 IDM 晶圆厂开始进入 IGBT 芯片产业链，2012 年导入比亚迪电动车，2015 年自研 IGBT 开始上量，2020 年宁波产线具备 40 万套电动车 IGBT 模块的配套能力，2021 年收购济南富能 8 寸产线，新增年产能可配套新能源汽车需求约 90 万辆，合计配套 130 万量。中车时代电气是国内轨交、电网高压 IGBT 芯片龙头厂商，2012 年收购英国的丹尼克斯开始进入 IGBT 芯片的生产与研发。2017 年开始从 6500V、7500V 高压领域扩展至 650V、750V 和 1200V 的车规级 IGBT 模块市场，2018 年开始导入大巴车、物流车和 A00 级车，2019-2021 年芯片设计改版后已经成为国内首家突破 A 级车 IGBT 芯片的厂商，同时与汇川等 Tier1 厂商也保持紧密合作。公司此前有一条月产能为 1 万片的 8 英寸产线，2021 年底二期月产能为 2 万片的 8 寸线投产，预计可以配套约 200 万辆新能源车 IGBT 模块，凭借 IDM 厂商的产能优势有望在 2022 年获得车载 IGBT 芯片较大的市场份额。斯达半导 2008 年开始进入 IGBT 芯片市场，最开始也从英飞凌购买芯片，2015 年出现了切入 IGBT 芯片生产的机会，2015 年英飞凌收购 IR（International Rectifier）将其芯片研发团队解散，该团队成为了斯达半导体芯片研发团队，2016 年开始推广自己的芯片，目前公司产品已经在大巴车、物流车和 A00 级电动车上有所应用，2020 年公司生产的车载 IGBT 模块配套约 20 万辆新能源车，预计 2021 年配套车辆将增加至 50 万套。士兰微在家电领域的 IPM 模块出货量优势明显，2020 年 IPM 模块出货量约 1800 万颗，2021 年上半年出货量大增 150%，已经占全球 10%的出货量，公司从家电切入车载 IGBT 领域，目前已经有 A00 级别客户如零跑和菱电开始采用士兰微的车载 IGBT 模块。由于公司 IDM 的模式，产品迭代非常快，迭代一版产品历时只有 3 个月，而 Fabless 厂商则需要 6 个月以上。目前士兰微的 A 级车 750V 模块性能处于行业领先，输出功率可以达到 160kw-180Kw，公司 12 寸的晶圆厂已经投产，预计年底可实现月产能 3.5 万片的产能目标。（四）IGBT 供给紧平衡，2022 年产业进入爆发期我们认为 2022 年国内 IGBT 产业进入爆发期，国产 IGBT 厂商在车载 IGBT 领域的替代进程会加速。一方面国内新能源汽车 2022 年销量预期都比较乐观，市场预期平均增速在 50%以上，但是国外 IGBT 芯片厂商如英飞凌和安森美等大厂的交期平均都在一年以上，同时海外如欧洲和美国的电动车市场也开始进入高速增长期，这些国际大厂会优先保障本土供应。在供需偏紧的情况下，国产 IGBT 厂商对于国内电动车主机厂而言成为了最重要的芯片供应保障，而且时代电气、士兰微和华虹半导体等厂商的 IGBT 产能已经在 2021 年底相继投产，有望成为 IGBT 芯片国产化最受益的厂商。对于国内的 IGBT 厂商而言，最受益的厂商还是以 IDM 模式为主的厂商，如比亚迪半导体，时代电气和士兰微。我们认为市场对于 IGBT 芯片供给大幅开出以后导致 IGBT 芯片市场竞争加剧的担忧大可不必，我们梳理了国内明年新增的 IGBT 产能，如果拉平 2022 年全年的 IGBT 供应增量，预计为 5.04 万片/月，如果考虑良率等问题，预计实际产能不足 4 万片/月，对于明年 200 万辆电动车的 IGBT 芯片消耗量就达到 2-3 万片/月，如果再考虑光伏和风电等领域用到的 IGBT 芯片，预计产能供应相对偏紧张。三、碳化硅新世界：衬底成为产业链最重要的环节（一）碳化硅器件优良性能带来全新替代需求 1、SiC 与 IGBT 性能对比相同规格的碳化硅基 MOSFET 和硅基 MOSFET 相比，导通电阻降低为 1/200，尺寸减小为 1/10；相同规格的使用碳化硅基 MOSFET 的逆变器和使用硅基 IGBT 相比，总能量损失小于 1/4。由于碳化硅器件具备的上述优越性能，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求，从而成为半导体材料领域最具前景的材料之一。具体对比如下： ① 能量损耗低。SiC 模块的开关损耗和导通损耗显著低于同等 IGBT 模块，且随着开关频率的提高，与 IGBT 模块的损耗差越大，SiC 模块在降低损耗的同时可以实现高速开关，有助于降低电池用量，提高续航里程，解决新能源汽车痛点。 ② 更小的封装尺寸。SiC 器件具备更小的能量损耗，能够提供较高的电流密度。在相同功率等级下，碳化硅功率模块的体积显著小于硅基模块，有助于提升系统的功率密度。 ③ 实现高频开关。SiC 材料的电子饱和漂移速率是 Si 的 2 倍，有助于提升器件的工作频率；高临界击穿电场的特性使其能够将 MOSFET 带入高压领域，克服 IGBT 在开关过程中的拖尾电流问题，降低开关损耗和整车能耗，减少无源器件如电容、电感等的使用，从而减少系统体积和重量。 ④ 耐高温、散热能力强。SiC 的禁带宽度、热导率约是 Si 的 3 倍，可承受温度更高，高热导率也将带来功率密度的提升和热量的更易释放，冷却部件可小型化，有利于系统的小型化和轻量化。（报告来源：未来智库） 2、碳化硅器件得需求测算：电车和工业 SiC 器件使用第三代半导体材料碳化硅作为衬底，与同规格硅基器件相比，SiC 器件效率及耐温性更高，可显著降低能耗，提高功率密度，减小体积，是下一代新能源汽车电机驱动控制系统的理想器件，能进一步提高新能源汽车的续航里程、百公里加速能力和最高时速。特斯拉的 Model3 的主驱动逆变器采用了 24 个 SiC MOSFET，每个模块有 2 个 SiC 裸晶(Die)共 48 颗 SiC MOSFET，总成本约为 5000 元。比亚迪汉后驱三相桥 6 桥臂采用了 30 个 SiC MOS 模块，总成本 7000 元。2021 年发布的新款车型中，蔚来 ET，小鹏的 G9，广汽埃安的 LX 和长城的机甲龙均采用 800v 平台，从 400V 提升到 800V，一个系统用到 30-50 个 SiC 芯片，2 套驱动系统的芯片量会增长更多。新能源汽车系统架构中涉及到功率半导体应用的组件包括：电机驱动系统、车载充电系统（OBC）、电源转换系统（车载 DC/DC）和非车载充电桩。碳化硅功率器件应用于电机驱动系统中的主逆变器，能够显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提高功率密度。Wolfspeed 预计 2026 年车载 SiC 市场规模将从 2022 年的 16 亿美元增加至 2026 年的 46 亿美元。除了新能源汽车领域，光伏发电、轨道交通、智能电网以及射频器件都可以采用 SiC 器件替代 IGBT 作为电子电子控制器件。使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 与碳化硅 SBD 结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从 96%提升至 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命提升 50 倍，预计在组串式和集中式光伏逆变器中，碳化硅产品预计会逐渐替代硅基器件。将碳化硅器件应用于轨道交通牵引变流器，能极大发挥碳化硅器件高温、高频和低损耗特性，提高牵引变流器装置效率。预计工业领域的 SiC 器件市场规模预计从 2022 年的 6 亿美金增加至 14 亿美金。 3、功率半导体厂商纷纷发布碳化硅产品比亚迪：比亚迪在 2020 年发布的比亚迪汉纯电动高性能四驱版成为国内首款采用自研 SiC 模块的车型，功率密度提升了一倍，其 SiC 芯片采购自国外厂商。比亚迪半导体碳化硅 SiC 功率模块是一款三相全桥拓扑结构的灌封全碳化硅功率模块，主要应用于新能源汽车电机驱动控制器，是全球首家、国内唯一实现在电机驱动控制器中大批量装车的 SiC 三相全桥模块。根据公司公告显示，2020 年 SiC 模块销售收入为 1.42 亿元，按照单价 1577 元测算，预计 2020 年销售碳化硅模块 9 万个，2021 年上半年销售收入达到 1.14 亿元，按照 1069 元单价计算，2021 年上半年销售碳化硅模块为 10 万个，预计全年销量将超过 20 万个。华润微：本土功率半导体龙头厂商华润微在 2020 年 7 月份发布 SiC 二极管产品，2021 年实现小批量供货。2021 年 12 月 17 日，公司又宣布推出 1200V SiC MOSFET 新品，采用 Wolf Speed 的衬底，实现了碳化硅芯片的国产化。华润微自主研发量产的新品 SiC MOS 单管，具有栅氧可靠性好、高电流密度、高开关速度、工业级可靠性、Ron 随温度变化小等优势，主要应用于新能源汽车 OBC、充电桩、工业电源、光伏逆变、风力发电等领域。时代电气：从轨交和电网高压 IGBT 切入新能源汽车功率半导体的时代电气在 2021 年底发布了国内首款基于自主碳化硅芯片的大功率电驱产品- C- Power 220s。公司的 SiC MOSFET 芯片已经发展了 4 个代次，从第三代开始面向车规级应用，目前已经推出的 1200V/600A 的 SiC MOSFET 模块 S3 能够满足 120KW～200KW 功率等级电驱需求，在 190KW 高输出功率条件下，逆变总损耗可以比硅基 IGBT 降低 54%，逆变效率从 97.%提升至 98.77%。（二）碳化硅产业链之咽喉：衬底 1、衬底行业概况：分类，产业链环节，价值量分布 SiC 衬底的原材料为高纯碳粉和高纯硅粉，在 2,000℃以上的高温条件下通过特定反应合成碳化硅粉。在特殊温场下，采用成熟的物理气相传输法（PVT 法）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，经过多道加工工序产出碳化硅衬底。根据下游终端的应用不同可以分为导电型和半绝缘型两类，导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件，与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。在半导体应用中，SiC 主要用于电力电子器件的制造。从 SiC 器件制造流程顺序来看，SiC 器件的制造成本中，SiC 衬底成本占比 50%，SiC 外延的成本占比 25%，这两大工序是 SiC 器件的重要组成部分。根据立昂微和沪硅产业披露的招股书，一片 8 寸的硅外延片为 250 元左右，一片 12 寸的硅外延片为 300-400 元左右，而天科合达和天岳先进披露的 6 寸导电型 SiC 衬底和 4 寸半绝缘 SiC 衬底分别为 3000 元和 8000-9000 元，全球龙头 Wolfspeed 的 6 寸导电型 SiC 衬底价格高达 6000 元以上，如果完成外延加工估计达到 8000 元左右。 SiC 器件成本高的一大原因就是 SiC 衬底制造困难，与传统的单晶硅使用提拉法制备不同，目前规模化生长 SiC 单晶主要采用物理气相输运法（PVT）或籽晶的升华法。这也就带来了 SiC 晶体制备的两个难点： 1、生长条件苛刻，需要在高温下进行。一般而言，SiC 气相生长温度在 2300℃以上，压力 350MPa，而硅仅需 1600℃左右。高温对设备和工艺控制带来了极高的要求，生产过程几乎是黑箱操作难以观测。如果温度和压力控制稍有失误，则会导致生长数天的产品失败。 2、生长速度慢。PVT 法生长 SiC 的速度缓慢，7 天才能生长 2cm 左右。而硅棒拉晶 2-3 天即可拉出约 2m 长的 8 英寸硅棒。此外 SiC 器件制造必须要经过外延步骤，外延质量对器件性能影响很大。SiC 基器件与传统的硅器件不同， SiC 衬底的质量和表面特性不能满足直接制造器件的要求，因此在制造大功率和高压高频器件时，不能直接在 SiC 衬底上制作器件，而必须在单晶衬底上额外沉积一层高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件，目前效率也比较低。另外 SiC 的气相同质外延一般要在 1500℃以上的高温下进行。由于有升华的问题，温度不能太高，一般不能超过 1800℃，因而生长速率较低。 2、市场格局全球碳化硅衬底市场主要由美国和欧洲厂商控制，根据 Yole 的统计，2018 年导电型碳化硅衬底市场中 CREE 占比为 62%，美国半导体材料大厂Ⅱ-Ⅵ市占率为 16%，国内厂商天科合达和山东天岳占比仅为 1.7%和 0.5%。半绝缘型衬底市场中 Wolf speed 市占率从 2019 年的 41%下滑至 32%，Ⅱ-Ⅵ半导体市占率从 2019 年的 27%上升至 35%，两大龙头合计占据近 70%的市场。山东天岳以半绝缘型衬底产品为主，2020 年市占率达到 30%，根绝公司招股书披露 2020 年公司半绝缘型衬底 3.47 亿元营收测算，全球半绝缘型碳化硅市场规模仅为 12 亿元人民币。2020 年 Wolf-Speed 营收为 4.71 亿美元，剔除 0.59 亿美元半绝缘型衬底的营收，预计导电型碳化硅衬底营收规模约为 4.12 亿美元，假设 Wolfspeed 市占率在 2020 年接近 50%，合计导电型碳化硅衬底市场规模约为 8.24 亿美元。综合来看，2020 年全球碳化硅衬底市场约为 10 亿美元，2021 年 Wolfspeed 营收增长 12%，预计 2021 年全球碳化硅衬底销售规模增至 11.3 亿美元。在功率半导体芯片市场，尤其是 IGBT 芯片市场的竞争已经从芯片设计延伸至中游的制造和下游的模块封装领域，然而进入到碳化硅时代，我们认为碳化硅功率半导体的竞争已经从芯片设计、中游制造和下游封装进一步向产业链上游的衬底和外延环节扩张。国际大厂很早就意识到了碳化硅之争的关键就在对于衬底资源的控制权，早在 2009年日本罗姆就通过收购德国 SiC 衬底和外延片供应商 SiCrystal 实现了 SiC 器件研发的实质性突破。2018年英飞凌收购了德国碳化硅晶圆切割领域的新锐公司 Siltectra，通过收购获得了一种称为"冷分裂（Cold Split）"的材料切割技术，借助这种专有工艺可以高质量低成本的加工晶圆和对晶圆进行减薄，尤其是对于碳化硅这种超高硬度材料的切割优势非常明显。 2019 年 12 月，意法半导体以1.375亿美元现金从三安广电手中购得了瑞典 SiC 衬底和外延片制造商 Norstel AB，获得了 6 英寸 SiC 衬底和外延片的生产制造能力。2021 年 11 月 1日，安森美宣布耗资 4.15 亿美元对于美国碳化硅生产商 GTAT 的收购，通过外延收购衬底资产可以帮助安森美减少对于 Wolfspeed 的原材料依赖。时至今日，功率半导体大厂基本上对于衬底资源的抢夺战已经告一段落，国内企业只有三安光电在这场衬底资源争夺战中有所斩获，曾转移了部分 Norstel AB 的专利到国内，才得以完成国内首条从衬底、外延到器件的长沙 6 寸 IDM 产线。（三）国内衬底产业链梳理 1、国内衬底厂商对比国内碳化硅衬底主要供应商包括山东天岳、天科和达、三安光电、山西硕科、河北同光。目前，国内前三大市场是山西和山西。硕科和天科在一起。公开资料显示，碳化硅衬底销量前三名分别为3.5亿片（2020年）、约3亿片（2020年）、1.55亿片（2019年）。对比未来五块板的产能规划，2025年河北同光产能最大。月产能达到5.83万件，年产能达到70万件，达产后产值4.5-6亿元。第二名是三安光电。 2025年厦门三安、湖南三安碳化硅基板总产能将达到4.2万片/月，山东天岳碳化硅基板月产能为2025年底。这2.5万片为导电基板，占公司总产能的71.4%。免责声明：本文转载自"ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。